宽禁带半导体中杂质和缺陷

由于带隙宽的优越性能,高击穿电场强度和载体的机动性高、宽禁带半导体(银行),如4 h碳化硅(4 h-sic),氮化镓(GaN),氮化铝(AlN)、氧化镓(Ga2O3),氧化锌(氧化锌),氮化硼(BN),和钻石,显示巨大的潜力在大功率电子和短波长光电子学。在世行集团的材料生长和器件加工半导体、杂质和缺陷可以被故意掺杂或无意引入公司。杂质和缺陷能够优化热,电气、光学、半导体和磁性世行集团,因此WBG-semiconductor设备的性能。标识、描述和操纵的杂质和缺陷对裁剪至关重要的属性和扩大世行集团半导体的应用程序。

本研究课题旨在提供一个有价值的平台,分享最先进的研究成果在世行集团半导体杂质和缺陷,包括理论和实验掺杂物的进步,杂质,点缺陷、混乱、堆积层错、晶界在世行集团半导体。

感兴趣的主题包括,但不限于:
(1)半导体材料生长世行集团:散装单晶生长、薄膜外延,热力学和动力学的杂质和缺陷。
(2)世行集团半导体中杂质和缺陷:基础理论,识别、描述和控制。
(3)杂质和缺陷在世行集团的功能化和应用半导体。
(4)WBG-semiconductor设备的性能和可靠性:杂质和缺陷的影响。