自旋电子材料和设备

与传统的半导体器件,自旋电子元件,利用电子自旋或电子自旋和电荷,高速的优点,低耗,多才多艺。代,探测和操纵旋转自旋电子元件发展的关键。因此,与高自旋极化和自旋电子材料需要高居里温度,和独特的自旋电子元件研究自旋输运性质即隧道磁电阻高、自旋过滤效果,旋转二极管效应、塞贝克效应、自旋和反常能斯特效应,等。此外,在过去的十年里,graphene-like自动薄磁性材料的发展促进了二维自旋电子元件。

小说自旋电子材料、高自旋极化和高居里温度是必需的。有前途的候选人half-metals,旋转无间隙的半导体、磁性双极半导体,包括体积和低维系统,原始和掺杂体系。一些策略如应变、电场和异质结构可以用来增加自旋极化和居里温度。实现高性能的自旋电子元件,一个人可以选择high-spin-polarized材料作为电极,曲调散射区域的厚度或应用的栅电压设备。

我们欢迎原始研究,审查,迷你审查和观点文章主题包括,但不限于:

1。Half-metals;
2。旋转无间隙的半导体;
3所示。表面磁学和磁性界面;
4所示。二维磁性;
5。磁异质结构;
6。磁隧道结;
7所示。旋转塞贝克效应;
8。异常能斯特效果;
9。威尔半金属。