自旋电子材料的计算模型

自旋电子学是一种最有前途的新一代信息技术,它利用电子的自旋信息载体和具有潜在的优势加速数据处理电路集成密度高和能耗低。尽管它巨大的潜力优势,自旋电子学现在面临着诸多挑战,如代完全自旋极化的运营商(纯旋转)和自旋注入设备、长途运输、旋转和操作和检测载体的自旋取向。为了解决上述问题,不同自旋电子学材料设计等磁性金属,磁场拓扑材料、半导体和磁性。

虽然提出了大量的自旋电子学材料之前,它们中的大多数都是由于一些问题远离实际应用等的破坏half-metallicity自旋反转过渡,低磁点温度、合成、困难和糟糕的可控性。设计自旋电子学材料在室温下工作,可以很容易地操纵实验的关键是给现实生活带来自旋电子学。

在这方面,采用基于计算给我们提供了一个强大的和廉价的工具。实验材料设计是一个反复试验的任务,这是时间和能源密集型和不可避免地导致对实验资源的一种浪费。采用基于计算,不需要真实的样品,它甚至可以执行尚未合成的材料。采用的帮助下,可以经常预测材料的性质,在此基础上可以选择有前途的材料,通过实验证实。这样一个过程可以很大程度上降低了材料设计的时期。

在本研究课题中,我们将集中在自旋电子学的计算模型。我们鼓励在这些领域工作的研究人员最新提交他们的原始研究,迷你评论/评论,或观点的文章处理主题,包括,但不限于:

•计算建模的磁性金属,包括铁磁金属和half-metals。
•计算模型的磁场拓扑材料,例如,磁性材料与新形式节点。
•计算建模磁性半导体,稀释磁性半导体,spin-gapless半导体,half-semiconductors,双相磁性材料和非对称antiferriomagentic半导体。
•前雷竞技rebat沿计算模型材料的现象。