原始研究 2022年12月16日公布 外延铁电记忆电阻器与硅集成 在纳电子学 米格尔Rengifo Myriam h . Aguirre 马丁·赛丽娜 Ulrike Luders 迭戈Rubi 雷竞技rebat纳米技术前沿 doi 10.3389 / fnano.2022.1092177
原始研究 发布于2022年11月01 模拟x射线衍射、拉曼和红外光谱识别阶段在掺杂HfO2和锆 在纳电子学 阿尔弗雷德Kersch 理查德·甘塞尔 马克西米利安Trien 雷竞技rebat纳米技术前沿 doi 10.3389 / fnano.2022.1026286 343年的观点
原始研究 2022年10月31日出版 神经网络学习使用理想的电阻记忆装置 在纳电子学 Youngseok金 Tayfun Gokmen Miyazoe欲之 保罗·所罗门 Seyoung金 过渡的雷 乔纳斯Doevenspeck Raihan s汗 Vijay Narayanan 隆安藤 雷竞技rebat纳米技术前沿 doi 10.3389 / fnano.2022.1008266 350年的观点
原始研究 2022年8月25日公布 物理建模的HZO-based铁电场效应晶体管WOx通道 在纳电子学 鑫温 Mattia缰绳 劳拉Begon-Lours 马修Luisier 雷竞技rebat纳米技术前沿 doi 10.3389 / fnano.2022.900592 950年的观点
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