原始研究 2023年1月12日发布 4H碳化硅位错相关漏电流路径 在半导体材料和器件 Wandong高 光阳 Yixiao钱 雪峰汉 可以崔 小东π Deren杨 荣王 雷竞技rebat材料前沿 doi 10.3389 / fmats.2023.1022878
原始研究 发布于2023年1月11日 二维纳米材料对等离子体生物传感器灵敏度的影响 在半导体材料和器件 阿卡纳Yadav Shatrughan库马尔 阿尼尔•库马尔 Preeta夏朗 雷竞技rebat材料前沿 doi 10.3389 / fmats.2022.1106251
原始研究 发布于2023年1月10日 采用物理蒸汽输运法制备3英寸单晶AlN球的均相外延生长 在半导体材料和器件 Qikun王 丹雷 秦文君黄 小娟的太阳 轻拍李 Zhenxiang周 梁吴 雷竞技rebat材料前沿 doi 10.3389 / fmats.2022.1128468
修正 发布于2023年1月6日 勘误:5千瓦霍尔推力器的性能模拟 在半导体材料和器件 l .杨 王丕义 t .王 雷竞技rebat材料前沿 doi 10.3389 / fmats.2022.1126342