原始研究 2023年2月15日接受 Dislocation-driven增长二硫化钨/ WSe2量子阱超晶格 在半导体材料和设备 Baihui张 杨挂 李曾 紫薇黄 张天 Shunhui张 旭扬张 Zhikang Ao 香兰 雷竞技rebat前沿的材料 doi 10.3389 / fmats.2023.1108077
原始研究 接受了2023年2月6日 高性能的基于表面等离子体共振传感器使用黑色氧化磷和镁粘合层 在半导体材料和设备 SHATRUGHNA库马尔 阿卡纳Yadav 雷竞技rebat前沿的材料 doi 10.3389 / fmats.2023.1131412
原始研究 发布于2023年2月01 资源环境负荷预测方法基于过程的金属材料加工条件相似性匹配 在半导体材料和设备 志鹏兴 Haicong戴 Jiaji熊 Jiong张 玉李 雷竞技rebat前沿的材料 doi 10.3389 / fmats.2023.1129850 843年的观点
原始研究 2023年1月12日发表 4 h碳化硅Dislocation-related泄漏电流路径 在半导体材料和设备 Wandong高 光阳 Yixiao钱 雪峰汉 可以崔 小东π Deren杨 荣王 雷竞技rebat前沿的材料 doi 10.3389 / fmats.2023.1022878 1437年的观点
