作者= Rengifo米格尔,Aguirre Myriam H。赛丽娜·马丁,Luders Ulrike Rubi迭戈TITLE =外延铁电记忆电阻器与硅集成纳米技术体积= =前沿》杂志上4年= 2022 URL = //www.thespel.com/articles/10雷竞技rebat.3389/fnano.2022.1092177 DOI = 10.3389 /抽象fnano.2022.1092177 ISSN = 2673 - 3013 =神经形态计算需要开发固态单位能够电模拟生物神经元和突触的行为。这可以通过开发记忆性系统基于铁电氧化物。在这个工作我们制造和高质量外延BaTiO特征₃的记忆电阻器与硅集成。后证明BaTiO的铁电特性₃我们测试了LaNiO的记忆性反应₃/ BaTiO₃/ Pt的微观结构,发现共存的复杂的行为,包括挥发性和非易失性的影响,因BaTiO的调制₃/ Pt肖特基接口的方向偏振耦合氧空位的/电迁移界面。这会产生剩余阻力与可调开关比和非对称循环阻力放松方式。这些属性可能是利用神经形态发展的硬件兼容现有的硅技术。