TY -的盟Rengifo Miguel AU - Aguirre Myriam h . AU -赛丽娜,马丁盟——Luders Ulrike盟——Rubi迭戈PY - 2022 M3 -原始研究TI -外延铁电记忆电阻器与硅集成乔-纳米技术前沿UR - //www.thespel.com/articles/10.3389/fnano.2022.1092177六世- 4 SN - 2673 - 3013 雷竞技rebatN2 -神经形态计算需要的发展,固态单位能够电模拟生物神经元和突触的行为。这可以通过开发记忆性系统基于铁电氧化物。在这个工作我们制造和高质量外延BaTiO特征₃的记忆电阻器与硅集成。后证明BaTiO的铁电特性₃我们测试了LaNiO的记忆性反应₃/ BaTiO₃/ Pt的微观结构,发现共存的复杂的行为,包括挥发性和非易失性的影响,因BaTiO的调制₃/ Pt肖特基接口的方向偏振耦合氧空位的/电迁移界面。这会产生剩余阻力与可调开关比和非对称循环阻力放松方式。这些属性可能是利用神经形态发展的硬件兼容现有的硅技术。呃- - - - - -